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r-GeO2半導体におけるイオン注入によるn型導電性の付与に成功
Patentix 株式会社（以下「当社」）は、次世代パワー半導体材料として注目されるルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）に、イオン注入プロセスによって絶縁性のr-GeO2結晶膜にn型の導電性を付与すること成功しま…
掲載しているのは冒頭の抜粋のみです。全文は出典元でご覧ください。
Patentix 株式会社（以下「当社」）は、次世代パワー半導体材料として注目されるルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）に、イオン注入プロセスによって絶縁性のr-GeO2結晶膜にn型の導電性を付与すること成功しま…
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